文/金益鑫生/JYXS55
导读：
日前，武汉投资1600亿元人民币建设世界级存储器基地，联想到去年紫光竭力收购国际存储芯片公司和之前合肥投资460亿元人民币建设存储芯片工厂，以及最近紫光意图在深圳投资300亿美元建厂，国家为发展存储芯片产业可谓不惜血本。那么，在如此力度的政策、资金扶持下，武汉新芯、紫光等中国企业能重演京东方在面板产业的逆袭么？
一个月内敲定三大存储工厂
早在2006年，武汉就投资100亿元启动武汉新芯项目，经过10年的磨砺和成长，武汉新芯已经和西安华芯等公司成为中国存储器领域的龙头企业。本次投资1600亿元人民币将主攻方向是NANDFlash（NANDFlash闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NANDFlash），首批产品将于2017年上市销售，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。
武汉投资1600亿元人民币建设世界级存储器基地
在武汉、合肥等5座城市争夺存储器基地并以武汉的胜出而谢幕之后，合肥依旧没有放弃发展半导体产业的雄心，在技术上与日本前尔必达社长坂本幸雄合作，主攻方向是DRAM（DRAM是易失性存储技术，断电失去数据，电脑上4G/8G内存采用的就是DRAM），在资金上投入460亿人民币，该DRAM工厂预计量产时间为2018年下半年，届时12英寸晶圆月产能高达10万片。
3月24日，紫光制定了规模达300亿美元的投资计划，该存储厂预计于2018年完工，2019年量产，首批产能为4万片（规划3万片生产NANDFlash，1万片生产DRAM），预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。紫光该项决策的执行者就是素有台湾存储教父之称的前华亚科董事长高启全。
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一直以来，国内存储芯片市场一直被外资占据，武汉新芯、西安华芯、中芯国际的存储芯片不仅市场份额小，而且大多只能在中低端谋生存，而本次国家在存储领域发力，很显然是为了解决在存储芯片方面受制于人的问题。
打破存储制造技术受制于人问题
合肥的存储工厂在技术上比武汉新芯有着更强的对外依赖——合肥存储工厂的合作方是兆基科技，虽然注册地在香港，但实际掌舵人是前尔必达社长坂本幸雄，而且研发和设计由日本工程师负责，生产工艺由台湾工程师负责，合肥政府做的仅仅是成立公司和负责工厂的运营。
虽然紫光并没有宣布其技术来源，但联系去年紫光对镁光不成功的收购和与海力士的对话，以及试图借助西数收购闪迪，紫光的技术很有可能也是要仰仗镁光、闪迪、海力士等海外公司。
中国改变对国外存储芯片的依赖需要时间
武汉新芯目前才开始动工建设，预计到2020年能形成30万片的生产规模。在生产工艺方面，武汉新芯目前采用45纳米镜像NOR闪存和65纳米浮门NOR闪存，其表示正在开发20nm工艺，这与目前存储芯片企业前三强的差距相当大。
国家近年来对存储产业不计成本的投入，其本质上是在加速技术扩散的过程，定向的让技术向中国扩散，使先进技术、管理方法和技术人才进入中国大陆，同时让中国的本土技术人才在相应的岗位得到锻炼，形成强大的存储产业和高素质的人才，最终实现与国外巨头分庭抗礼的格局。
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